アナログ/ミックスド・シグナル/RF

アナログ/ミックスド・シグナル/RFスケマティック・ドリブンの一貫したアナログ/ミックスド・シグナル/RF回路設計環境

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TCAD

TCAD半導体物理に基づく「プロセス/デバイス・シミュレーション環境」

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カスタム IC CAD

カスタム IC CADアナログ/ミックスド・シグナル/RF設計向けICレイアウト、DRC/LVS検証、寄生RC抽出環境

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寄生素子抽出ツール

寄生素子抽出ツールRF受動素子/配線寄生素子を抽出する 物理ベース3次元RLCG抽出環境

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デジタルCAD

デジタルCADSPICE → ゲート変換、セル・ライブラリおよびブロック・キャラクタライゼーション、STA、Verilogシミュレーション、故障解析を提供する デジタル回路設計環境

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Simulation Standard

Generally Applicable Degradation Model for Silicon MOS Devices
The main cause of operational degradation in MOS devices is believed to be due to the buildup of charge...

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Simulation Standard

Simulations of Deep-Level Transient Spectroscopy for 4H-SiC
Silicon carbide is expected to be an excellent device material as high voltage and low-loss power devices. Recently, SBD (Schottky Barrier Diode) and MOSFET...

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Simulation Standard

Hints, Tips and Solutions

Using TonyPlot, can I achieve publication quality plots?

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Simulation Standard

Hints, Tips and Solutions

How can I calculate light extraction efficiency in an OLED or LED with pure optical simulation?

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シルバコ、SIP次世代パワーエレクトロニクス・プロジェクト「酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の研究開発」に参加 シルバコ、SIP次世代パワーエレクトロニクス・プロジェクト「酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の研究開発」に参加

独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構が推進する、戦略的イノベーション創造プログラム(SIP)/次世代パワーエレクトロニクスの「酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の研究開発」プロジェクトへの参加を発表しました。


TSI Semiconductors、シルバコとの協力強化により0.25μm BCDMOSプロセスを推進 TSI Semiconductors、シルバコとの協力強化により0.25μm BCDMOSプロセスを推進

モデル作成の生産性向上のため、オプティマイゼーションとデータ収集機能には、それらの結果表示と合わせて柔軟性が高いことが重要となります。TSIは業界を代表するSPICEモデリング・ツールを複数評価した結果、最終的にシルバコのUtmost IVを選択しました。


シルバコ・ジャパン、代表取締役社長の変更を発表 シルバコ・ジャパン、代表取締役社長の変更を発表

シルバコ・ジャパンは、代表取締役社長のデイビット・ハリデーが退任したことを発表しました。あらたにイリヤ・ペシックが代表取締役社長に就任し経営にあたります。


Silvaco to Exhibit at the TSMC 2014 Open Innovation Platform Ecosystem Forum Pavilion Silvaco to Exhibit at the TSMC 2014 Open Innovation Platform Ecosystem Forum Pavilion

Showcasing vertical solutions encompassing TCAD to SPICE modeling products, with an affordable custom design flow and FinFET-ready SmartSpice simulator..