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HiSIM
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UTMOSTIV
次世代SPICEパラメータ抽出/オプティマイズ・モジュール

HiSIM

UTMOST IVにおける抽出フロー

HiSIM登場の背景
CMOSテクノロジの微細化がサブ90nmへと進展する中、正確な回路シミュレーションSPICEモデルを求める声が高まっています。これほど微細なCMOS回路をシミュレーションするには、BSIM3やBSIM4など現行のSPICEモデルでは、能力の限界が近いのです。こういった現状を打開すべく、絶妙のタイミングで登場したのが、速度と精度がさらにパワーアップしたHiSIMバージョン2.4です。
HiSIM SPICEモデルは、広島大学の三浦道子教授を中心に開発されました。

HiSIMは、モデルのよりどころとして、 「VthベースのCMOSモデル」として知られる従来の考え方から離れて、「表面ポテンシャル・モデル」と呼ばれる手法をベースとしています。表面ポテンシャル・モデルは、65nm以下の微細なCMOS物理構造も正確に表現できます。



2007年12月1日現在