Blaze

Blazeでは、先端材料を使用して製造するデバイスをシミュレートします。Blazeは2元、3元、および4元系半導体のライブラリを備えています。また、傾斜型および階段型へテロ接合モデルを内蔵し、MESFET、HEMT、およびHBTといった2元構造のシミュレートが可能です。

すべての計測可能なデバイス特性(DC、AC および過渡) がシミュレートできます。計算により求められるDC特性には、しきい値電圧、ゲイン、リーク電流、パンチスルー電圧、および降伏現象が含まれます。計算により求められるRF特性には、カットオフ周波数、s-、y-、h-、z-パラメータ、最大有能電力利得、最大安定電力利得、最大発振周波数、および安定化係数が含まれます。固有のスイッチング時間および周期的大信号出力のフーリエ解析も計算することができます。

2008年10月9日現在