シルバコ・ジャパン ： SILVACO Japan

MC Device

モンテカルロ法を用いた2次元デバイス・シミュレータ

MC Deviceにより、緩和/歪みシリコン・デバイスの振る舞いを、非平衡状態およびバリスティック効果を取り入れて２次元でシミュレートできます。MC Deviceはデバイス・シミュレーション・フレームワークATLAS内で、インタラクティブ・ツールと完全統合されます。

主な特徴

• すべてのバンド構造を使用。
• 電子とホールに対するMC輸送モデルに対応。
• キャリアの散乱のモデリング
  (音響フォノン散乱、光学フォノン散乱、キャリア・キャリア散乱、不純物散乱、およびインパクト・イオン化散乱)。
• 空間依存によるストレスでの電荷輸送の取り扱い。
• シュレディンガー方程式をベースにした量子的補正モデル。
• ATHENAおよびATLASからデバイス構造をインポート可能。
• 任意の方向、さまざまなフィールド、およびストレスのレベルに即した、緩和/歪みシリコンの電荷輸送のモデリングを行うためのバルク・シミュレーション・モード。
• 統計的強化方法を採用して、キャリア分布関数のテールおよびホット・キャリアの効果を解析。

2009年3月2日現在
Rev.021209_03