Magnetic

磁場用2次元デバイス・シミュレーション・モジュール

Magneticモジュールを使用すると、デバイス・シミュレータATLASで、デバイスの振る舞いにおける外部から加えられた磁場の効果を考慮したシミュレーションを実行することができます。キャリアの動きは、ローレンツ力が加わることにより変わります。この力は、キャリア速度と加えられた磁束密度ベクトルのベクトル積に比例します。

主な特徴

  • 均一の外部磁場を特定可能。
  • ドリフト拡散方程式にローレンス力を追加。
  • ホール電圧を計算可能。
  • 磁場による電流偏向を考慮。
  • 磁場センサをシミュレート可能。
  • デバイス性能における浮遊磁場の効果をモデリング可能。

2008年8月20日現在

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