Magnetic3D

Magnetic3Dモジュールを使用すると、デバイス・シミュレータATLASで、デバイスの振る舞いにおける外部から加えられた磁場の効果を考慮したシミュレーションを実行することができます。キャリアの動きは、ローレンツ力が加わることにより変わります。この力は、キャリア速度と加えられた磁束密度ベクトルのベクトル積に比例します。 Magnetic3Dモジュールにより、計算対象の電流フローおよびポテンシャル分布の変化を見ることができます。つまり、磁気トランジスタやホール効果磁場センサなど磁場の影響を受けやすい多くのデバイスをシミュレートできます。また、半導体デバイス特性における磁気環境の効果を見積もることも可能です。Magnetic3Dでは、3次元空間において任意の方向の均一な磁場が設定できます。

2008年8月20日現在