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TFT3D

3次元アモルファスおよび多結晶デバイス・シミュレーション・モジュール

TFT3Dは物理モデルを備えた高度なデバイス・テクノロジ・シミュレーション・モジュールで、3次元におけるアモルファス・デバイスまたはポリシリコン・デバイスをシミュレートするために必要な数値手法に特化しています。TFT3Dを使用すると、非晶質材料のバンドギャップ内における欠陥状態の分布の電気的効果をモデリングできます。ユーザは、アモルファス・シリコンやポリシリコンの結晶粒と粒界に対して、電子とホールの捕獲断面積/ライフタイムと共に、エネルギーの関数としての欠陥の状態密度(Density of States: DOS)を指定できます。デバイスの性能を正確に予測するために、移動度、インパクト・イオン化、バンド間トンネル効果のモデルを調整することも可能です。

特徴

  • エネルギー依存のDOS。
  • フォノンを介したトラップ－バンド間トンネル効果。
  • バンド間トンネル効果。
  • Poole-Frenkelの障壁低下効果。
  • DIGBL (Drain Induced Grain Barrier Lowering)
  • DC、AC、および過渡のシミュレーション。
  • 結晶粒と粒界に個別のDOSを指定。

2008年8月30日現在

関連情報:
TFT3D
Omni Licensing Token-Based Licensing Multi-Core