MC Implant は、イオン注入の包括的なモジュールです。イオン阻止、欠陥の形成、非晶質材料および結晶質材料の イオン注入分布をモデリングします。豊富な測定結果との比較から、MC Implant は非常に正確で予測精度が高いことが証明されています。さまざまなイオン/ ターゲットの組み合わせを、任意の形状で、基板の結晶方位、入射イオンのドーズ量やエネルギー、入射角度などを変えてシミュレートできます。
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