シルバコ・ジャパン ： SILVACO Japan

MC Implant

モンテカルロ法による高度なイオン注入モジュール

MC Implantは、イオン注入の包括的なモジュールです。イオン阻止、欠陥の形成、非晶質材料および結晶質材料のイオン注入分布をモデリングします。豊富な測定結果との比較から、MC Implantは非常に正確で予測精度が高いことが証明されています。さまざまなイオン/ターゲットの組み合わせを、任意の形状で、基板の結晶方位、入射イオンのドーズ量やエネルギー、入射角度などを変えてシミュレートできます。

2008年8月30日現在