先進CMOSプロセスの設計は、TCADから始まります。実際のウェハを使用した実験を比較的長期間行うことは、効率が悪すぎ費用もかかります。TCADの高速プロトタイピングを利用する方がはるかに効率的であり、詳細なシミュレーションに裏打ちされた統合フローを決め、プロセスレシピの詳細を決定することができます。

  セル・モード プロセス・モード
使用例 高速3次元プロトタイピング 詳細な2次元/3次元シミュレーション
エッチング/デポジション 幾何学的 幾何学的、物理的
拡散 Fermi ~5-stream
酸化 解析的 ストレスおよび方向に依存
イオン注入 解析的、モンテカルロ法
ストレス 温度履歴、格子不適合、真性ストレス
デバイス・シミュレーションへの接続 コンフォーマル・メッシュ、Delaunayメッシュ コンフォーマル・メッシュ

シルバコ・ツールは、FinFET、FD-SOI、およびその他の新規デバイスなどの先進プロセスのアーキテクチャに対し、完全な経路探索型解析を行うことができます。メモリ分野では、垂直NAND型フラッシュメモリおよびSTT MRAMに向けた重要なテクノロジの1つである、イオン増速型エッチングをサポートしています。

FinFETの経路探索型3次元シミュレーション
3次元NAND型フラッシュメモリのIECEエッチング・シミュレーション

標準的なBSIMモデルをTCADモデルから抽出することにより、新規プロセスの設計と、製造に向けた設計作業に使用するツール環境との間をつなぐことができます。また、FinFET SRAMおよびその他の新規構造に対応した寄生素子データの高精度抽出には、フル3次元フィールド・ソルバを使用可能です。

FinFET SRAMに向けた3次元寄生素子抽出

おもな機能

TCAD
  • 高速プロトタイピング・モード/詳細な物理シミュレーション・モード
  • FinFETや新規デバイスの経路探索型解析
  • FD-SOIデバイスの経路探索型解析
  • 3次元NAND型フラッシュメモリおよびSTT MRAMに対する先進的なイオン増速型エッチング
  • 応力履歴
  • レーザのアニール処理
  • エピタキシ
  • 化合物半導体における拡散およびイオン注入
  • ロバスト性および安定性に優れた3次元酸化
3D RCX
  • FinFET SRAMの3次元寄生RCX
Model Extraction
  • BSIM-CMG、BSIMSOI
Extracted Netlist Analysis & Reduction
  • 寄生素子リダクション
  • 設計解析
  • 抽出された寄生素子を含むネットリストの比較
  • Belldonneによる、PDKアップデート解析、LPEルールファイルの認証、およびデザイン・イネーブルメントの確認