中国SILAN-IC社、パワーデバイス開発にシルバコのTCADを採用

3D TCADシミュレーションが大規模パワーデバイスの設計・最適化に重要な役割を果たす

米国カリフォルニア州サンタクララ発 - 2015年8月11日

Silvaco, Inc. (以下シルバコ) は本日、中国のHangzhou Silan Integrated Circuit Co., Ltd. (以下Silan-IC) が、パワーデバイスや関連アプリケーションの開発にシルバコのTCADソフトウェアを採用したと発表しました。対象ソフトウェアには、シルバコのVictory Process (3次元) およびAthena (2次元) プロセス・シミュレータおよびデバイス・シミュレータのVictory Device (3次元) およびAtlas (2次元)、並びに実験計画 (DOE) やプロセスおよびデバイス最適化のためのバーチャル・ウェハ・ファブ (VWF) が含まれます。

「2次元/3次元のTCADシミュレーションは、新規デバイスや既存デバイスの特性や振る舞いをより良く理解することに役立ちます。これはデバイスの信頼性と拡張性を改善させながら、開発期間の短縮、リスクや不確実性の低減に有効です。」とSilan-ICの設計サービス部マネージャー、Huiyong Liu氏は語ります。「徹底的な評価の後、当社はシルバコの2次元/3次元プロセスおよびデバイス・シミュレータを採用しました。とくに、大規模で複雑な3次元パワーデバイスを高速にシミュレーションする能力があることと、シルバコのすばやいカスタマーサポートが決め手となりました。」

「シルバコの3次元TCADソフトウェアの速度と精度は、当社顧客のコスト削減、市場投入までの時間短縮を助けるとともに、最適化され、信頼性の高い設計を達成します」とシルバコの最高経営責任者、David L. Dutton氏は語ります。「シルバコはエレクトロニクス設計者や製造業者をパワーアップする最先端のTCAD-to-Signoffツールを提供するリーディング・ベンダーです。上海に所在するシルバコ中国は、成長を続ける中国市場で Silan-ICのような革新的パワーエレクトロニクス企業と連携できることをとてもうれしく思います。」

概要:Silan-IC

2001年創設のHangzhou Silan Integrated Circuit Co., Ltd. (Silan-IC) は、杭州経済技術開発地区に所在するSilan Microelectronicsが全額出資する企業です。ウェハ製造を専門とし、スペシャルティ・プロセス技術の研究開発に焦点を合わせて、付加価値のあるLSI製品を提供します。2002年末に製造を開始したSilanの最初のウェハ製造ライン (Fab 1) は、ショットキーバリアダイオード、スイッチングダイオード、ツェナーダイオードなど、バイポーラ製品やバイポーラ技術をベースにしたディスクリートデバイス用ウェハを製造します。同社の第2ウェハ製造ライン (Fab 2) は、2005年3月に0.8µm BiCMOS、BCD、パワーMOSFET向けに製造を開始しました。Silan-ICについての詳細は下記のウェブサイトをご覧ください:
http://www.silan.com.cn/english/Info/infoindex.aspx?Ylw+v2KEJqM=

概要: Silvaco, Inc

米国Silvaco, Inc.は、TCAD、回路シミュレーション、およびIC CADツールのリーディング・ベンダです。シルバコのツールは、ファウンドリにおけるプロセス技術の開発や、デザイン・ハウスにおけるアナログ/ミックスド・シグナル/RF IC設計に使用されています。シルバコが提供するPDKベースの統合設計フローは、他社製設計ツールとのインタフェースを備えています。シルバコは、世界中の主要地域に事業拠点を構え、グローバルなプレゼンスを有しています。
www.silvaco.com

本件に関してのお問い合わせ:
press@silvaco.co.jp