SmartSpice RadHard

アナログ回路シミュレータ(放射線効果シミュレーション)

SmartSpice RadHard™アナログ回路シミュレータは、シングルイベント効果(SEE)や線量率(DR)による放射線効果のモデリングおよび解析のシミュレーションを可能にします。商業用のSmartSpiceアナログ回路シミュレータに基づき構築され、最新の電子機器の設計、分析や、最先端の半導体技術における解析に要求される精度、機能および性能を備えています。

特長

  • RADステートメントを使用した過渡解析およびDC解析による、高精度な線量率(DR)およびSEEの解析
  • 業界で実績を誇るSmartSpiceアナログ回路シミュレータの拡張機能
  • 修正Wirth & Rogersモデルやオプションのユーザ定義モデルによる線量率の解析
  • 修正Messengerモデルやオプションのユーザ定義モデルによるシングルイベント・アップセット(SEU) やマルチビット・アップセット(MBU)の解析
  • 先進の回路最適化により、設計回路の放射線耐性を向上し、システムの要求仕様適合のための設計トレード・オフの複雑な解析が可能
  • ファウンドリ提供のバルクCMOS、SOI、バイポーラ、biCMOSプロセス向けHSPICE、 PSPICE、SmartSpice標準モデル対応
  • オープンなモデル開発環境とVerilog-Aオプションによるアナログ・ビヘイビア機能の拡張
  • シルバコPDKをベースとするアナログ/ミックスド・シグナル/RFデザイン・フローと統合
  • カスタム・モデルおよびシミュレータ制御における高度なwhat if機能による新規発生現象の研究に対応
  • SmartSpice RadHardとシルバコの放射線ツール・フローとの完全な統合により、 プロセス・モデリング、デバイス・シミュレーション、回路解析、物理レイアウトおよびチップの寄生効果を 関連付け、再現性の高い物理ベースの環境を実現し、放射線と信頼性の影響を検証

シングルイベント効果

  • サブサーキット・モデルではなく拡張された業界標準デバイス・モデルに基づく放射線物理
  • ユーザ定義の電流パルス・モデリング
  • 複雑な回路ネットリストによらない、高速で使いやすい放射線効果解析機能
  • シングルビット・アップセット解析
  • マルチビット・アップセット解析

図のようにイオン衝突したSiGe D型フリップフロップのGateway回路

LET=20およびLET=10におけるSmartSpice RadHardシミュレーション

総線量照射後、LET=10およびLET=20のイオン衝突におけるSiGe D型フリップフロップのシミュレーション
参考文献: NIU, G. IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol 49, No. 6 December 2002
22nm SRAMの例

粒子衝突による6-Tr SRAMセルのアップセット。
22nm NMOSおよびPMOSトランジスタのモデルはVictoryの3次元デバイス・シミュレーションから抽出。
0.5 MeV-cm2/mgのLETでアップセットが発生。
180nm、130nm、65nmにおけるシングルイベント過渡(SET)シミュレーション

シングルイベント過渡の伝搬によるパルス広がりの誘発を検証
線量率効果
  • サブサーキット・モデルではなく拡張された業界標準デバイス・モデルに基づく放射線物理
  • ユーザ定義の光電流モデリング
  • 複雑な回路ネットリストによらない、高速で使いやすい放射線効果解析機能
  • テクノロジ依存のパラメータ

8進法バッファ/ドライバの線量率解析のシミュレーション結果対実験データ

Rev.012314_07