3次元デバイス用回路シミュレーション・モジュール

MixedMode 3D™は、SPICEコンパクト・モデルに加えて、物理ベースの3次元デバイスを統合する回路シミュレーション・モジュールです。正確なコンパクト・モデルが存在しない場合、または重要な役割を果たすデバイスを高精度でシミュレートする必要がある場合、物理ベースのデバイスを使用します。Atlasの3次元モジュールを任意に組み合わせて、物理ベースのデバイスをシミュレートすることが可能です。物理ベースのデバイスは、SPICEネットリスト形式に準拠した回路記述に従って設定します。MixedMode 3Dは、パワー回路、高性能デジタル回路、高精度アナログ回路、高周波回路、薄膜トランジスタ回路、光電子回路に使用できます。

技術仕様

  • SPICE入力言語回路仕様に対応
  • MixedMode 3Dの回路には、最大200個のノード、300個の素子、10個の物理ベースのAtlas 3次元デバイスを含むことが可能
  • SmartSpiceアナログ回路シミュレータのモデル・ライブラリを使用して、回路素子を正確かつ包括的に記述可能
  • 幅広いSPICE モデルに対応し、電圧、電流および光源、MOSFET (level1、2、3、 BSIM3v3、BSIM4、EKV、PSP、 HiSIM2、HiSIM_HV、Silvaco HV MOS)、バイポーラ(Gummel Poon、VBIC、Mextram、HICUM)、HBT、 TFT (RPI a-Si、RPI poly-Si、 UOTFT)、ダイオード、JFET、MESFET (Curtice、TriQuint)、HiSIM-IGBT を使用可能

インバータ・シミュレーション

MixedMode 3Dにより、コンパクト・モデル・デバイスを物理ベースのデバイスに置き換えることができます。

物理ベースのデバイスを使用してシミュレートされるトランジスタANとAPを持つCMOSインバータ回路図です。
ノード1とノード2におけるインバータ電圧特性

リング・オシレータ

最大10個の物理ベースのデバイスを使用して、リング・オシレータなどの回路を生成できます。

物理ベースのデバイスを使用した、3段リング・オシレータの回路図です。
リング・オシレータのIV特性

SEUシミュレーション

MixedMode 3Dを使用して、回路素子上のシングル・イベント・アップセット(SEU)パルス効果をシミュレートできます。SEUパルスは、回路内の任意の物理ベース・デバイスに適用できます。

SEU衝突中の物理ベースMOSFETデバイスのシンプルな回路
時間の関数として表したSEUパルス電荷
SEUパルス発生中のIV特性
電子濃度の等価面図(time=4e-12s)

Rev.110613_03