Services

PDK開発サービス

PDK(プロセス・デザイン・キット)開発サービスでは、ファウンドリ固有のモデル、シンボル、ルール・デッキ、およびP-Cell(パラメタライズド・セル)を提供します。

カスタムICデザイン・サービスにおけるEDAツール群

  • Gateway スケマティック・エディタ
  • SmartSpice アナログ回路シミュレータ
  • Expert レイアウト・エディタ
  • Guardian DRC/LVS/LPE物理検証ツール
  • Hipex フルチップ寄生素子抽出ツール
  • JavaScript/Lisaスクリプト言語
SmartSpice Analog Circuit Simulator SrmartSpiceRF Harmonic Balance Based RF Simulator Harmony Analog/Mixed-Signal Simulator Gateway Schematic Editor and Schematic Viewer Expert Layout Editor Guardian DRC/LVS/NET Physical Verification QUEST 3D RF Passive Device Modeling HIPEX Full-Chip Parasitic Extraction CLEVER RC Extractor for Realistic 3D Structures

PDK開発サービスにおける納品データ

スケマティック・シンボル - Gateway スケマティック・エディタで使用され、 Expert レイアウト・エディタ上でP-Cellを呼び出す際にも使用されます。これらのパラメータ化されているシンボルと各サブサーキットは統合されており、トランジスタ・レベルのシミュレーションにおいて標準的な動作を保証するためにSPICEモデルを用いて検証されています。

SPICEモデル(オプション) - ファウンドリが規定したプロセス・コーナー(温度、電圧、プロセス)について SmartSpice で検証済みの、SPICE モデル・ファイルです。シルバコでは、ウェハまたは測定データからモデルを抽出し、各デバイスの測定データvsシミュレーション・データについて詳細なレポートを提供します。

レイアウト・テクノロジ・ファイル - 各プロセス・レイヤに対してGDSIIレイヤを関連付けるレイアウト/検証ツールのためのレイヤ・ファイルです。また、GDSIIレイヤの表示色や、ユーザでのカスタマイズが可能なレイアウト・ツールのショートカット・キーを設定するファイルです。

P-Cell - アノテートされた回路のデバイスを Expert レイアウト・エディタ上に自動的に作成可能にします。DRC/LVSクリーンで、JavaScript/Lisaスクリプト言語を使用して作成されています。

検証ルール・ファイル - Expert レイアウト・エディタ、Guardian DRC/LVS/LPE物理検証ツールで利用できるフォーマットにエンコードされたレイアウト・ルールです。

抽出ファイル - Hipexフルチップ寄生素子抽出ツールおよびQuest 3次元高周波インダクタンス抽出ツールのセットアップ・ファイルです。

PDK開発サービスに必要なファウンドリ設計データ

  • ファウンドリ提供のウェハ(テストチップ・データ、または全コーナーに対する測定結果を含む)、プロセスに関連するパラメータ変動、およびモデル検証用のテスト回路ネットリスト
  • 抵抗、キャパシタ、ダイオード、NMOS/PMOSトランジスタ、NPN/PNPバイポーラ・トランジスタ、インダクタ、バラクタなどのターゲット・デバイスに対する仕様、レイアウト・サンプル、スクリプト、およびP-Cell 記述
  • DRC、LVS、LPE ルール・ドキュメントおよびDRC、LVS、LPEデッキ(例:Cadence 社Draculaなど)テクノロジ・ファイル、表示設定ファイル、およびお客様が使用するファウンドリ・データを準備するための任意のスクリプトまたはユーティリティ
  • 電気的パラメータ、ノイズ、マッチング、検証および信頼性データなどに関する、プロセス/設計ドキュメント
  • プロセス・オプションを含む、レイヤに関するプロセス仕様

シルバコのPDKドリブンEDAツール・フロー: 回路設計からレイアウト、最終シミュレーションまで

Gateway スケマティック・エディタによるPDKシンボルによって表されたバンドギャップ回路のキャプチャ
Expert レイアウト・エディタによるフライトラインを使用してインスタンス化され、最終レイアウトとして配置されたP-Cell
SmartSpice による抽出されたバンドギャップの温度依存シミュレーション

Rev.091015_13