先進CMOSプロセスの設計は、TCADから始まります。実際のウェハを使用した実験を比較的長期間行うことは、効率が悪すぎ費用もかかります。TCADの高速プロトタイピングを利用する方がはるかに効率的であり、詳細なシミュレーションに裏打ちされた統合フローを決め、プロセスレシピの詳細を決定することができます。
| セル・モード | プロセス・モード | |
| 使用例 | 高速3次元プロトタイピング | 詳細な2次元/3次元シミュレーション |
| エッチング/デポジション | 幾何学的 | 幾何学的、物理的 |
| 拡散 | Fermi ～5-stream | |
| 酸化 | 解析的 | ストレスおよび方向に依存 |
| イオン注入 | 解析的、モンテカルロ法 | |
| ストレス | 温度履歴、格子不適合、真性ストレス | |
| デバイス・シミュレーションへの接続 | コンフォーマル・メッシュ、Delaunayメッシュ | コンフォーマル・メッシュ |
シルバコ・ツールは、FinFET、FD-SOI、およびその他の新規デバイスなどの先進プロセスのアーキテクチャに対し、完全な経路探索型解析を行うことができます。メモリ分野では、垂直NAND型フラッシュメモリおよびSTT MRAMに向けた重要なテクノロジの1つである、イオン増速型エッチングをサポートしています。
FinFETの経路探索型3次元シミュレーション
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3次元NAND型フラッシュメモリのIECEエッチング・シミュレーション
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標準的なBSIMモデルをTCADモデルから抽出することにより、新規プロセスの設計と、製造に向けた設計作業に使用するツール環境との間をつなぐことができます。また、FinFET SRAMおよびその他の新規構造に対応した寄生素子データの高精度抽出には、フル3次元フィールド・ソルバを使用可能です。
FinFET SRAMに向けた3次元寄生素子抽出
おもな機能
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