先進CMOSプロセスの設計は、TCADから始まります。実際のウェハを使用した実験を比較的長期間行うことは、効率が悪すぎ費用もかかります。TCADの高速プロトタイピングを利用する方がはるかに効率的であり、詳細なシミュレーションに裏打ちされた統合フローを決め、プロセスレシピの詳細を決定することができます。

	セル・モード	プロセス・モード
使用例	高速3次元プロトタイピング	詳細な2次元/3次元シミュレーション
エッチング/デポジション	幾何学的	幾何学的、物理的
拡散	Fermi ～5-stream
酸化	解析的	ストレスおよび方向に依存
イオン注入	解析的、モンテカルロ法
ストレス	温度履歴、格子不適合、真性ストレス
デバイス・シミュレーションへの接続	コンフォーマル・メッシュ、Delaunayメッシュ	コンフォーマル・メッシュ

シルバコ・ツールは、FinFET、FD-SOI、およびその他の新規デバイスなどの先進プロセスのアーキテクチャに対し、完全な経路探索型解析を行うことができます。メモリ分野では、垂直NAND型フラッシュメモリおよびSTT MRAMに向けた重要なテクノロジの1つである、イオン増速型エッチングをサポートしています。

標準的なBSIMモデルをTCADモデルから抽出することにより、新規プロセスの設計と、製造に向けた設計作業に使用するツール環境との間をつなぐことができます。また、FinFET SRAMおよびその他の新規構造に対応した寄生素子データの高精度抽出には、フル3次元フィールド・ソルバを使用可能です。

おもな機能

	高速プロトタイピング・モード/詳細な物理シミュレーション・モード FinFETや新規デバイスの経路探索型解析 FD-SOIデバイスの経路探索型解析 3次元NAND型フラッシュメモリおよびSTT MRAMに対する先進的なイオン増速型エッチング 応力履歴 レーザのアニール処理 エピタキシ 化合物半導体における拡散およびイオン注入 ロバスト性および安定性に優れた3次元酸化
	FinFET SRAMの3次元寄生RCX
	BSIM-CMG、BSIMSOI
	寄生素子リダクション 設計解析 抽出された寄生素子を含むネットリストの比較 Belldonneによる、PDKアップデート解析、LPEルールファイルの認証、およびデザイン・イネーブルメントの確認