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TCADベースのGaN HEMTデバイス・モデル抽出フロー

配信開始日: 2018年7月20日

本ウェビナーでは、GaN HEMTデバイスのモデル・パラメータ抽出メソドロジをご紹介します。ここでは、GaN HEMTデバイスの現在のSPICEコンパクト・モデルについて説明し、Verilog-Aとシミュレータの組込みモデルについても考察します。モデル抽出用の入力データは、TCADデバイス・シミュレーションを使用して生成します。自己発熱の有無によりデータを生成する機能など、このアプローチ特有の強みについても考察します。次にSPICEモデル抽出フローについて説明します。対称と非対称デバイスの処理方法、デバイス構造関連のモデル・パラメータ設定方法、さまざまな最適化ステップの設定方法などの詳細についても紹介します。

概要:

  • GaNデバイスのSPICEコンパクト・モデルの現状
  • Verilog-A対シミュレータ組込みモデル
  • TCADデバイス・シミュレーションを使用したデータの生成
  • パラメータ抽出のためのデータ変換
  • GaN HEMTデバイスのSPICEモデル・パラメータの抽出
    • 前提条件
    • フローの説明
    • 最適化ステップの設定
    • フローの実行および結果の説明

プレゼンタ:

Bogdan Tudor博士は、シルバコ、Device Characterization Groupの統括責任者です。R&D、フィールド・オペレーション、モデリング・サービスなど、Device Characterization Groupの活動すべてを取りまとめています。Tudor博士は、2017年にシルバコに入社しました。シルバコ入社以前は4年間、ProPlus Design SolutionsのPrincipal Software Architectとして、さらにそれ以前は12年間SynopsysのSenior R&D Engineerとして勤務していました。Tudor博士は、デバイス・キャラクタライゼーション、コンパクト・モデル開発、MOSFET経年劣化、信頼性解析、ソフトウェア開発の幅広い知識を持ちます。

Tudor博士は、ルーマニアのブカレスト工科大学で、電気工学の学士号、マイクロエレクトロニクスの博士号を取得しています。


対象:

GaN HEMTデバイスのモデリングおよびキャラクタライゼーションに興味がある研究者、エンジニア、マネージャ