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TCADベースのGaN HEMTデバイス・モデル抽出フロー - Part2

配信開始日:

本ウェビナーは、以前ご紹介したGaN HEMTデバイスのモデル・パラメータ抽出メソドロジの続きを説明します。今回は、TCADデバイス・シミュレータを使用してI-VおよびC-Vデータを生成する方法についても説明します。デバイスの非対称 vs. 対称構造についても考察します。SPICEモデルのI-Vおよび容量パラメータの抽出について、特に非対称デバイスに重点を置いて詳しく解説します。

概要:

  • GaN HEMTデバイスの非対称 vs. 対称構造
  • TCADデバイス・シミュレーションを使用したI-Vおよび容量データの生成
  • パラメータ抽出のためのI-VおよびC-Vデータ変換
  • GaN HEMTデバイスのSPICEモデル・パラメータの抽出
    • 非対称デバイスのパラメータ抽出
    • I-Vモデリング
    • 容量モデリング
    • フローの説明
    • フローの実行および結果の説明

プレゼンタ:

Bogdan Tudor博士は、シルバコ、Device Characterization Groupの統括責任者です。R&D、フィールド・オペレーション、モデリング・サービスなど、Device Characterization Groupの活動すべてを取りまとめています。Tudor博士は、2017年にシルバコに入社しました。シルバコ入社以前は4年間、ProPlus Design SolutionsのPrincipal Software Architectとして、さらにそれ以前は12年間SynopsysのSenior R&D Engineerとして勤務していました。Tudor博士は、デバイス・キャラクタライゼーション、コンパクト・モデル開発、MOSFET経年劣化、信頼性解析、ソフトウェア開発の幅広い知識を持ちます。

Tudor博士は、ルーマニアのブカレスト工科大学で、電気工学の修士号、マイクロエレクトロニクスの博士号を取得しています。


対象:

GaN HEMTデバイスのモデリングおよびキャラクタライゼーション、DTCO TCAD to SPICEメソドロジに興味がある研究者、エンジニア、マネージャ