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イオン輸送および電気化学のTCADシミュレーション

配信開始日: 2017年10月26日

本ウェビナーでは半導体デバイスのイオン輸送および電気化学のシミュレーションについて考察します。これらの現象は、不揮発性メモリや固体電池の設計のように意図的である場合、そして多くの劣化メカニズムに見られる意図的でない場合の双方が対象となります。主に電気化学シミュレーションに向けてVictory Deviceに新しく追加された汎用性の高い機能について紹介いたします。

概要:

  • 半導体デバイスの電気化学の考察をするタイミングと理由
    • 現象
    • 用途
  • 電気化学シミュレーションで解く方程式
    • イオン輸送
    • 化学反応
  • Victory Deviceでの電気化学シミュレーション設定方法
    • 化学種プロパティの定義
    • 化学種濃度の初期設定
    • 化学反応の仕様化
    • 化学種データの出力
  • 例: IGZO TFTにおける劣化

プレゼンタ:

Carl Hylin博士はシルバコ、TCAD部門のSenior Development Engineer です。2007年にシルバコに入社して以来、Victory Device専任の開発者として従事してきました。化学モジュールのほか、Victory Deviceで数多く利用されるトラップ・モデル、放射線劣化モデル、高精度数値解析を担当しています。

Hylin博士は、MITで学位、University of Illinoisで修士号、University of Kentuckyで博士号、これらすべてを機械工学で取得しています。また、SIAM (Society for Industrial and Applied Mathematics)のメンバーです。専門分野はコンピュータ・サイエンスおよびコンピュータ工学で、それをロケット・エンジン、検索エンジン、そしてTCADに応用しました。


対象:

TFT、不揮発性メモリ、固体電池をはじめとする半導体デバイスのイオン輸送、劣化、電荷捕獲を含めたシミュレーションを検討している研究者、技術者、マネージャ