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酸化物半導体TFTのデバイスシミュレーション: デバイスモデリングと自己発熱効果

配信開始日:

酸化物半導体は、その高い移動度、広いバンドギャップ、低温形成という特長を有することから, TFT(Thin-Film Transistor)のチャネルとして期待されている材料です。現在、酸化物半導体TFTは、フラットパネルディスプレイに採用されているだけでなく、センサーや太陽電池、メモリーへの応用も検討されています。酸化物半導体TFTを用いた電子デバイスを開発する場合、酸化物半導体の材料特性やデバイスの構造が酸化物半導体TFTの電気的特性に与える影響を知る必要があります。デバイスシミュレーションは、それに最も適したツールの1つです。

本ウェビナーでは、シルバコのシミュレータを用いた酸化物半導体TFTのデバイスシミュレーションを紹介します。酸化物半導体特有のキャリア電子輸送と電子状態は、移動度モデルとDOS (density of subgap states) 分布に反映されます。これらのモデルパラメータ値を決定する手法を提案するとともに、その結果を適用したデバイスシミュレーションが酸化物半導体TFTの電気的特性を広い温度範囲において再現できることを示します。さらに、自己発熱効果を含む酸化物半導体TFTのチャネル長依存性について議論します。

概要:

  • 酸化物半導体TFTのデバイスモデリング
    • 移動度モデルとDOS分布
    • モデルパラメータの抽出
    • IGZO TFTの温度依存性
  • 酸化物半導体TFTチャネル長依存性
    • IGZO TFTのチャネル長依存
    • 自己発熱効果を考慮したデバイスシミュレーション

プレゼンタ:

安部勝美は、シルバコ・ジャパンのTCADアプリケーションエンジニアです。シルバコ・ジャパンに2016年に入社して以降、TFTやLED、フォトダイオード等の半導体デバイスのTCADアプリケーションのサポートを担当しています。入社以前は、メーカーや研究機関において、半導体デバイス、特にTFTに関するエンジニア及び研究者として活動しており、15年以上の経験を有しています。また、2013年に東京工業大学にて工学博士号を取得しています。


対象:

酸化物半導体TFT、及び、それを用いた電子デバイスの研究開発を行っている研究者、エンジニア