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シリコン・パワー・デバイスの効率的な3次元TCADシミュレーション

配信開始日: 2016年4月1日 TCADシミュレーションにより、プロセスエンジニアやデバイスエンジニアは試作を行う前にデバイス特性を解析することが可能となり、時間とコストを大きく削減できることはよく知られています。今日、多くのデバイスは3次元構造を有するため、3次元のプロセス/デバイス・シミュレータで解析することが効果的です。またパワー・デバイスではメインセルや終端構造など、さらに大きなデバイス構造にも強い関心が集まっています。

このウェビナーでは、統合型3次元TCADプラットフォームによる縦型LOCOSトランジスタのシミュレーション、ならびにマルチセルIGBTにおける電流フィラメントについて解説します。


セミナー概要:

  • 統合型3次元TCADプラットフォーム(Victory)の概要
    • Victoryのアーキテクチャ
    • 3次元ラピッドプロトタイピング
    • メッシングの概念
    • ソルバー
  • 用途
    • 縦型LOCOSパワーデバイスの2次元および3次元セル設計
    • マルチセルIGBTにおける3次元電流フィラメントのシミュレーション

プレゼンター:

Eric Guichard博士はシルバコのTCAD部門長であり、研究開発から技術戦略にわたり全面的な責任を担っています。1995年のシルバコ入社以来、シルバコ・フランスの取締役から最近ではTCADの国際戦略ディレクターまで、様々な役職を担当してきました。シルバコ入社以前、Guichard博士はフランスの電子情報技術研究所(LETI)およびThomson Military and Spaceのトランジスタおよび回路の経年劣化を専門とするシニアSOIエンジニアを務めました。

Guichard博士は、フランスのEcole Nationale Polytechnique de Grenobleにて物質科学の理学修士号および半導体物理の博士号を取得しています。