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HiSIM_HV 2による高耐圧パワーデバイスのモデリング

配信開始日: 2015年4月30日
このウェビナーでは、高耐圧デバイス用SPICEモデルの業界標準であるHiSIM_HV 2のモデル・パラメータ抽出を取り上げます。まず、HiSIM_HV 2モデルにおける各モデル・パラメータ効果を確認し、モデルの特徴を把握します。次にUtmost IVを用いたHiSIM_HV 2パラメータ抽出をステップ毎に見ていきます。最後に、最新のHiSIM_HV 2.2.0に組み込まれたデプレッション・モードを紹介します。このウェビナーを通じてHiSIM_HV 2モデルの特徴、モデル・パラメータ抽出手順を理解し、HiSIM_HV 2による高耐圧デバイス・モデリングを円滑に進めることを目指します。

概要:

  • 高耐圧デバイス構造と電気特性:MOS、LDMOS、HVMOS、Extended Drain MOS(XDMOS)
  • HiSIM_HVモデルのリリース履歴:HiSIM_HV 1.2.0、2.1.0、2.2.0
  • HiSIM_HV 2モデル・レビュー:HiSIM 2コアと擬似2-D抵抗モデル
  • HiSIM_HV 2モデル・パラメータ抽出フロー
  • HiSIM_HV 2.2.0の新モード:デプレッション・モード

プレゼンター:

飯野 由久は、シルバコのスタッフ・エンジニアで、1995年のシルバコ・ジャパン設立時に入社以来、Utmostデバイス・キャラクタライゼーション、モデル・パラメータ抽出ソフトウェアを担当しています。シルバコ社入社以前は、バイポーラIC主体の企業に参加しCMOSデバイス技術開発における、シルバコ社ツールを含めた開発プラットホーム立ち上げに従事しました。また、日本テキサス・インスツルメンツ株式会社にて1980年代に、Extended Drain MOSと現在呼ばれる高耐圧デバイスのキャラクタライゼーションを行い、プロセス条件、レイアウト・デザイン・ルールの決定を行いました。

上智大学理工学部電気電子工学科卒業で、指導教官は庄野克房教授でした。