ウェビナー

TCADベースのGaN HEMTデバイス・モデル抽出フロー - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2018年7月20日]
本ウェビナーでは、GaN HEMTデバイスのモデル・パラメータ抽出メソドロジをご紹介します。ここでは、GaN HEMTデバイスの現在のSPICEコンパクト・モデルについて説明し、Verilog-Aとシミュレータの組込みモデルについても考察します。(言語: 英語)

スタンダード・セル・レイアウトのマイグレーションと最適化 - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2018年7月13日]
本ウェビナーでは、スタンダード・セル・ライブラリのマイグレーションと最適化を効率的に行う方法を説明します。テクノロジ・ノード間のスムーズなマイグレーションのためにファウンデーションIPを再利用することで、エンジニアリング・リソースを節減でき、対象となるテクノロジのレイアウト最適化に必要な最初の情報を入手できます。(言語: 英語)

TCAD入門―デバイス理論の実践 - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2018年6月22日]
本ウェビナーでは、著名なゲスト講演者、アリゾナ州立大学、電気電子情報工学の教授、Hugh Barnaby博士をお招きします。シルバコTCADの概要について学ぶことができ、また半導体デバイス物理の学習の一環として、効率的かつ効果的にTCADを利用する方法、および物理ベース・モデリングを用いて新技術を調査、設計するツールとしてTCADを導入する方法について、Barnaby博士の考えを聴くことができます。(言語: 英語)

さまざまな寄生抽出ソリューション、寄生計算の調査と比較 - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2018年6月20日]
本ウェビナーでは、寄生抽出結果のレビュー、寄生ネットリスト上で多数の解析を行う手法、およびツールの概要についてご紹介します。 (言語: 英語)

エンタープライズ・レベルのIP管理を実現 - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2018年6月15日]
本ウェビナーでは、現在の半導体企業が直面する問題と、半導体企業がデザイン・データだけでなく技術とは関係ない大量のメタデータ、そして社内および社外IPをエンタープライズ・レベルで体系化するのに役立つシルバコのテクノロジについて考察します。(言語: 英語)

フレキシブル・ディスプレイの作成に適した材料を見つけたい？TCADがお手伝いします - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2018年5月18日]
本ウェビナーでは、ストレス・シミュレーションに使用される数値的手法を説明し、シンプルな構造の解析モデルと比較、そして変形のため誘起される応力に対するシルバコの非線形有限要素法によるアプローチを紹介します。(言語: 英語)

サブシステム・インサイト - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2018年4月13日]
本ウェビナーでは、シルバコのドライバ、HAL(Hardware Abstraction Layer)、ローレベル・ソフトウェアを使用するAMBA Subsystemsへのサポートについて紹介します。 (言語: 英語)

リアルな3次元TCAD構造を使用した高精度寄生RC抽出 - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2018年3月30日]
寄生RCを正確に見極めることは、最新の半導体技術を設計、統合する上で重要な要素となります。ルール・ベースの寄生抽出を使用する従来のフローでは、精度の要求を満たせない場合や、適切なLPEルール・デッキが準備できない場合があります。(言語: 英語)

VarManを使用したスタンダード・セルの統計的キャラクタライゼーション - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2018年3月1日]
半導体の新しいプロセス・ノードにおけるプロセスばらつきは、グローバル、ローカルを問わず、スタンダード・セル・ライブラリのパフォーマンスを左右する重要な要素になっています。電源と温度変動を組み合わせた場合、従来手法での3シグマ・プロセス・コーナーの検出、または6シグマ検証の実行は、膨大な数のシミュレーションを必要とするため、非現実的になって来ています。(言語: 英語)

SPI vs SPI - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2018年2月9日]
本ウェビナーではシルバコのSPI、QSPI(Quad SPI)、およびOSPI(Octal SPI) IP製品について、現在のSOC設計における有用性を考察します。(言語: 英語)

iPDKとGatewayスケマティック・キャプチャのインテグレーション - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2017年12月8日]
本ウェビナーではGatewayツール・フローとiPDKデザイン・キットの統合について考察します。iPDKは、お客様にプロセス・デザイン・キットを公開するにあたり、急速にファウンドリに推奨されるようになってきた手法です。EDAベンダのスケマティック・キャプチャおよびレイアウトにおいて、iPDKへの対応はメジャーな機能になってきています。本ウェビナーではiPDKをGatewayに統合する方法について、現在のiPDKに潜む落とし穴やギャップも含めて紹介いたします。(言語: 英語)

イオン輸送および電気化学のTCADシミュレーション - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2017年10月27日]
本ウェビナーでは半導体デバイスのイオン輸送および電気化学のシミュレーションについて考察します。これらの現象は、不揮発性メモリや固体電池の設計のように意図的である場合、そして多くの劣化メカニズムに見られる意図的でない場合の双方が対象となります。... (言語: 英語)

新しいMIPI Alliance I3C^SMの規格を学ぶ - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2017年9月13日]
現在のモバイル機器にはさまざまな種類のセンサが含まれており、これらは可能な限り低い消費電力で、できるだけ速く情報を (言語: 英語)

TFT、FPDの設計を加速 - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2017年5月17日]
本ウェビナーでは、TFT、LCD、OLEDディスプレイの設計者に 本ウェビナーでは、シルバコのEDAツールを活用したTFTおよびFPD設計のさまざまな技術の概要について説明します。 (言語: 英語)

TFT、LCD、OLEDディスプレイ設計のためのTCAD活用手法 - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2017年5月8日]
本ウェビナーでは、TFT、LCD、OLEDディスプレイの設計者にとって有益となる様々なTCADベースのシミュレーション技術を紹介します。最初に、TCADを使用したLED/OLEDダイオードの電気特性の解析および光学特性の解析について説明します。次に、... (言語: 英語)

信頼性解析は設計サイクルの初期に先手を打つ - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2017年4月21日]
多額の費用を伴う設計の手戻りを避けるには、パワー・インテグリティの問題を設計サイクルのできるだけ早い段階に解決する必要があります。レイアウト・エンジニアは、シルバコのInVar Primeを使用することで、物理設計が完了する前にEM/IRおよび熱条件を見積もることが可能です。 (言語: 英語)

寄生素子抽出解析の秘訣が明らかに! - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2017年3月24日]
物理設計のサインオフにとって、寄生素子抽出は必須の工程です。また、先端ノードにおいて、寄生素子は回路設計の動作に多大な影響を与えます。解析者が有意義かつ現実的な結果を出すためには、配線の寄生素子の影響を考慮しなければなりません。本ウェビナーでは、同一のデザインにおける2つの抽出データの特性を質的および量的に比較するフローを確認します。 (言語: 英語)

有機半導体光デバイスのためのTCADシミュレーション - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2017年1月27日]
本ウェビナーは、LEDや有機ELなどの発光デバイスの特性解析用統合環境であるRadiantを紹介します。有機半導体デバイスとして、変換効率や色純度が高く、色調整もしやすいなどの特徴から、ディスプレイや照明などの分野で注目されている有機ELを取り上げ、特に白色有機ELの開発に必要な有機多層膜の電気特性の解析および発光特性の解析について紹介します。 (言語: 英語)

2次元Victory Process – ロバストな3次元ソリューションを保証するSUPERMベース・シミュレータの革新的代替 - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2016年12月9日]
スタンフォード大学によるSUPREM-IVベースの2次元プロセス・シミュレータは、30年以上にわたり半導体研究業界で使用されてきました。半導体テクノロジの著しい進化により、新世代のTCADツールへの移行の必要に迫られています。Victory Processシミュレータは、1次元/2次元/3次元プロセス・シミュレーションに対するソリューションと、新しい材料やプロセスをプロセス・フローにシームレスに導入することができることから、現在のものだけでなく、将来的な業界の条件をほとんど満たしています。 (言語: 英語)

Variation Managerを使用したアナログ・デザインの統計解析フロー - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2016年11月14日]
先端ノードテクノロジにおいてアナログ・デザインのばらつきの影響は重大なものとなりました。統計解析に使用される従来のモンテカルロ手法は限界に達し、パフォーマンス面においてアナログ設計者の要望に応えることができなくなりました。 (言語: 英語)

有機半導体光デバイスのためのTCADシミュレーション - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2016年9月28日]
本ウェビナーは、LEDや有機EL などの発光デバイスの特性解析用統合環境であるRadiantを紹介します。有機半導体デバイスとして、変換効率や色純度が高く、色調整もしやすいなどの特徴から、ディスプレイや照明などの分野で注目されている有機ELを取り上げ、特に白色有機ELの開発に必要な有機多層膜の電気特性の解析および発光特性の解析について紹介します。 (言語: 日本語)

レイアウト・エンジニアのための電源供給ネットワーク解析 - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2016年7月27日]
このウェビナーでは、シルバコの新しい信頼性解析ツールであるInVar Primeの概要を説明します。InVar Primeは、InVarパワー・インテグリティ・サインオフ・ツールのラインナップに追加された製品です。 (言語: 英語)

TCADユーザビリティ：DeckBuildとバーチャル・ウェハ・ファブ (VWF) - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2016年7月1日]
このウェビナーでは、TCADシミュレーションを行なうためのフロントエンドGUIツールであるDeckBuildとバーチャル・ウェハ・ファブ（VWF）の説明とデモを行ないます。既存のシミュレーション・デックをブラウズして選択し、編集後にシミュレーション実行する方法を紹介します。 (言語: 英語)

TCAD Simulation of Wide Bandgap Power Devices - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2016年6月24日]
Simulation of wide bandgap power devices has always posed convergence challenges. In addition to this, the emphasis is shifting to accuracy and calibration of models in relation to manufacturing data. (言語: 英語)

ワイドバンドギャップ・パワー半導体デバイスのためのTCADシミュレーション - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2016年5月25日]
ワイドバンドギャップ・パワー半導体シミュレーションに関して、最近の関心は収束問題から精度、キャリブレーション、モデルなど、実測との比較を通したより実用的な問題にシフトしています。本ウェビナーでは、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、酸化ガリウムに焦点をあて、そのシミュレーションについて解説します。 (言語: 日本語)

3Dメモリにおける物理エッチングのシミュレーション - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2016年5月1日]
このウェビナーでは、特に3Dメモリに焦点を当てて、物理エッチングのシミュレーション方法、メカニズム、モデルについての深い理解を提供します。 (言語: 英語)

シリコン・パワー・デバイスの効率的な3次元TCADシミュレーション - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2016年4月15日]
TCADシミュレーションにより、プロセスエンジニアやデバイスエンジニアは試作を行う前にデバイス特性を解析することが可能となり、時間とコストを大きく削減できることはよく知られています。今日、多くのデバイスは3次元構造を有するため、3次元のプロセス/デバイス・シミュレータで解析することが効果的です。またパワー・デバイスではメインセルや終端構造など、さらに大きなデバイス構造にも強い関心が集まっています。 (言語: 英語)

先端プロセスと低電力テクノロジーのためのばらつき考慮設計 - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2016年4月1日]
シルバコのVariation Managerは革新的なモンテカルロ技術により、アナログセルやAMS/RF ICを高速に検証できます。メモリビットセルや論理標準セルのように多くの繰り返し要素を持つ設計に対してもロバストな高シグマ解析を可能とします。Variation Managerの革新的なサンプリング技術により、設計者はばらつきの問題をより速く、かつ低コストに解決できます。 (言語: 英語)

OpenAccessで容易にシルバコのカスタム設計フローへ移行 - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2016年3月18日]
このウェビナーでは、設計者がOpenAccess環境でどのようにシルバコのスケマティック・エディタ「Gateway」とレイアウト・エディタ「Expert」を利用するかについて説明します。 (言語: 英語)

TCADとSPICEを駆使した太陽電池モデリング - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2015年12月17日]
このウェビナーでは、太陽電池とソーラーパネルのTCADからSPICEに至るシミュレーション・フローを概観し、またその関連の手法について紹介します。 (言語: 英語)

3DシステムとICのためのパーティショニングおよびDRC - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2015年10月26日]
ICとシステムの3Dインテグレーションは、「More than Moore」テクノロジーとアプリケーションのコストスケーリングを向上しますが、異種システムとICの3Dインテグレーションは今後の設計に大きな課題を投げかけます。シルバコは、異種3D IC設計の自動3D空間パーティショニングおよび3D設計ルールチェック（3D DRC）のための2つのプロトタイプ設計ソフトウェアを発表しました。 (言語: 英語)

パワー・インテグリティおよび信頼性解析 - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2015年9月30日]
このウェビナーは、パワー・インテグリティおよび信頼性解析ツールであるInVarの概要を紹介します。電力、電圧、温度を同時にモデリングするInVarのコンカレント・アプローチは、信頼性解析を実世界レベルの精度で行ないます。このウェビナーでは、高速な設計解析からサインオフまで、ゲートレベルおよびトランジスタ・レベルの電力、EM、IR、および熱解析を取り上げます。必要な入力データの簡単な紹介および短いデモも実施します。 (言語: 英語)

HiSIM_HV 2による 高耐圧パワーデバイスのモデリング - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2015年8月27日]
このウェビナーでは、高耐圧デバイス用SPICEモデルの業界標準であるHiSIM_HV 2のモデル・パラメータ抽出を取り上げます。また、最新のHiSIM_HV 2.2.0に組み込まれたデプレッション・モードにも簡単に触れます。このウェビナーを通じてHiSIM_HV 2モデルの特徴、モデル・パラメータ抽出手順を理解し、HiSIM_HV 2による高耐圧デバイス・モデリングを円滑に進めることを目指します。 (言語: 英語)

HiSIM_HV 2による 高耐圧パワーデバイスのモデリング - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2015年4月30日]
このウェビナーでは、高耐圧デバイス用SPICEモデルの業界標準であるHiSIM_HV 2のモデル・パラメータ抽出を取り上げます。また、最新のHiSIM_HV 2.2.0に組み込まれたデプレッション・モードにも簡単に触れます。このウェビナーを通じてHiSIM_HV 2モデルの特徴、モデル・パラメータ抽出手順を理解し、HiSIM_HV 2による高耐圧デバイス・モデリングを円滑に進めることを目指します。
(言語: 日本語)

総線量、放射線流による損傷、即発線量およびSEUのTCADシミュレーション - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2015年2月18日]
このウェビナーでは、宇宙空間または高エネルギー粒子や光子源付近など、一般的な4つの放射線環境下でエレクトロニクス・デバイスを使用した場合に発生する動作特性の変化について、酸化膜電荷や物理的損傷などを含む具体的なシミュレーション方法を取り上げます。 (言語: 英語)

使用した論文へのリンクは こちら

a-Si TFTにおけるリーク電流のTCADキャリブレーション - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2014年11月19日]
このウェビナーでは、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(a-Si TFT)において、TCADシミュレーションを測定データと比較する場合に用いるキャリブレーションの手順を詳細に取り上げます。TCADのキャリブレーション手順についてリーク電流に焦点を当て説明するため、a-Si TFTテクノロジの設計と最適化に役立ちます。 (言語: 英語)

SiCおよびSiパワー･デバイスのTCADからSPICEに至るシミュレーション - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2014年9月24日]
このウェビナーでは、パワー・デバイスの設計、シミュレーションおよび性能最適化をTCADとSPICEシミュレーションにより行う手法について取り上げます。高耐圧パワーエレクトロニクス用半導体として、長い間シリコンが採用されてきました。しかし、SiCのようなワイドバンドギャップ半導体が、シリコンを上回る性能から注目を集めています。SiCデバイスのシミュレーションは、シリコン・デバイスと比較してより難しいとされています。 (言語: 英語)

シングルイベント効果のモデリングと解析 - ビデオアーカイブ
[配信開始日: 2014年7月16日]
このウェビナーでは、放射線効果を専門とするエンジニアがシングルイベント効果(SEE)とそれらがデバイスや回路に及ぼす影響のモデリングを行う場合に使用する手法を取り上げます。デバイス技術の著しい進歩により、放射線効果の忠実なモデリングがとりわけ困難となり、またデバイス・サイズの小型化によりSEEやその他の放射線効果のモデリングの重要性が増しています。 (言語: 英語)