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TCAD入門―デバイス理論の実践

配信開始日: 2018年6月22日

TCADプロセス/デバイス・シミュレーションは、半導体デバイスの製造、設計、オペレーションの解析でエンジニアに幅広く利用されている、強力な2次元および3次元のモデリング・ツールです。最新のTCADは、CMOS、パワー・デバイス、RFデバイス、オプトエレクトロニクス/フォトニクス、センサおよびディスプレイ・デザイン、MEMSといった幅広いアプリケーションで使用されています。

しかしながら、TCADを習得して使いこなすことは容易なことではありません。TCADは、複雑な半導体デバイスの物理学を数値法と組み合わせることで、難解な問題を解決します。この種の問題は、エンジニアの解析方法で計算するには複雑すぎ、一方、実験室で実証的に測定するには難しく、コストがかかり、不可能であるということがよくあります。このような場合にTCADが役立ちます。

本ウェビナーでは、著名なゲスト講演者、アリゾナ州立大学、電気電子情報工学の教授、Hugh Barnaby博士をお招きします。シルバコTCADの概要について学ぶことができ、また半導体デバイス物理の学習の一環として、効率的かつ効果的にTCADを利用する方法、および物理ベース・モデリングを用いて新技術を調査、設計するツールとしてTCADを導入する方法について、Barnaby博士の考えを聴くことができます。

概要:

  • シルバコTCADの紹介(シルバコから)
    • 応用分野
    • ツールおよびフロー
    • リソース事例、論文、トレーニング
  • TCADの基礎
    • TCADの実践的概要
    • TCADによるデバイス物理解析
  • 詳細な物理講義と適用例
    • MOSテクノロジの例
    • MOSの静電気
    • MOSのC-V特性と酸化膜の欠陥
    • 可変LRCフィルタのミックスド・モード・シミュレーション
  • Time-of-Flightシステム: Sensor to Circuit
    • システムの概要
    • フォトダイオード―TCADデバイス・シミュレーション
    • トランス・インピーダンス・アンプ―ミックスド・モード・シミュレーション

プレゼンタ:

Hugh Barnaby博士は、2004年、アリゾナ州立大学の教授となりました。主となる研究では、過酷な環境が半導体材料、デバイス、集積回路に与える影響の解析、モデリング、実験的キャラクタライゼーションに重点を置いています。この研究の一環として、過酷な環境下において電子機器の動作を信頼性のあるものにする設計や処理テクノロジも開発しています。

さらに、現在、Barnaby博士は、無線(RFおよび光) IC、データ・コンバータ・デザイン、放射線対応のコンパクト・モデル、メモリスタ技術、アプリケーションについても研究活動を行っています。また、18年間、マイクロエレクトロニクス分野において産業、研究活動の双方で意欲的な研究者として活躍しており、これまでに100を超える論文を発表、出版しています。


Garrett Schlenvogt博士は、マサチューセッツ州ノース・チェルムズフォードにあるシルバコ東海岸のセールス/サポート・オフィスを拠点とする、シルバコTCAD部門のSenior Applications Engineerです。シルバコに入社し、5年間、シルバコTCADの先端CMOS、ディスプレイ・テクノロジ、センサ、パワー・デバイス/RFデバイスといった幅広いアプリケーションにおいてお客様にプリセールスおよびサポートを提供しています。さらに、Garrettは教育機関、営利団体の双方に働きかけ、複数の研究企画、協業を主導してきました。シルバコ入社以前は、アリゾナ州立大学の助手として、過酷な使用環境での信頼性シミュレーションおよびCMOSテクノロジのモデリングを研究していました。

Schlenvogt博士は、アリゾナ州テンピにあるアリゾナ州立大学で電気工学の学士、修士号、博士号を取得しています。


対象:

TCADを初めて使用し、半導体デバイスの物理学モデリングについての入門コースを求めているエンジニア、学生。TCADの学び直しに興味があり、TCADシミュレーションの最も効果的な利用方法に興味があるTCADの既存ユーザ