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シングルイベント効果のモデリングと解析

配信開始日: 2014年7月16日
このウェビナーでは、放射線効果を専門とするエンジニアがシングルイベント効果(SEE)とそれらがデバイスや回路に及ぼす影響のモデリングを行う場合に使用する手法を取り上げます。デバイス技術の著しい進歩により、放射線効果の忠実なモデリングがとりわけ困難となり、またデバイス・サイズの小型化によりSEEやその他の放射線効果のモデリングの重要性が増しています。これには、ソフト・エラー率(SER)、マルチビット・アップセット(MBU)、チップ実装、ならびにデバイス・レベルや回路レベルの詳細なシングルイベント効果のモデリングなども必要となります。

概要:

  • SEEを理解することの重要性
  • 基本メカニズム
  • 破壊的シングルイベント効果
    • モデリングと解析 - TCADツール・フロー
    • SEEに対する復元力増強のためのデバイス技術
  • 非破壊シングルイベント効果
    • モデリングと解析 - TCADおよびEDAツール・フロー
    • 非破壊SEE低減のためのデバイスおよび回路技術
  • DC-DCブースト・コンバータ、パワー・ダイオードならびにクエンチング論理ブロックの適用の例

プレゼンター:

シルバコの航空宇宙防衛部門のチーフ・エンジニアであるChristpher Nicklaw博士は、材料の放射線効果について35年を超える経験を有しています。放射線被爆環境における軍事および民生用システム両方に携わり、 デバイス・レベル、回路レベルおよびシステム・レベルのモデリング、シミュレーション、解析、デザインに手腕を発揮してきました。

Nicklaw博士は、Georgia Institute of Technologyにて電気工学の学士号、Naval Postgraduate Schoolにて電気工学の修士号、Santa Clara Universityにて コンピュータ工学の修士号とMBA、そしてVanderbilt Universityにて博士号を取得しています。