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カテゴリ名 タイトル 概要 言語
SPICE_Modeling SmartSpice解析エンジンの設計フローへの適用 [配信開始日: 2019年6月19日]
本ウェビナーを受講していただくと、SmartSpiceを利用するCADフローのパフォーマンスを最適化することが可能となり、独自のカスタム設計フローの作成も可能となります。
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TCAD シルバコTCAD: 入門と基礎 - チュートリアル - パートIII - TCADプロセス・シミュレーション [配信開始日: 2019年5月 29日]
この3部構成ウェビナーのパートIIIでは、Victory Processを使用したTCADプロセス・シミュレーションについて考察し、実行方法を説明します。本ウェビナーでは、半導体のプロセス・シミュレーション、構造設計、プロセス・エミュレーション、その他の基礎について段階的に説明します。
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TCAD 酸化物半導体TFTのデバイスシミュレーション: デバイスモデリングと自己発熱効果 [配信開始日: 2019年5月23日]
本ウェビナーでは、シルバコのシミュレータを用いた酸化物半導体TFTのデバイスシミュレーションを紹介します。
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TCAD シルバコTCAD: 入門と基礎 - チュートリアル - パートII - TCADデバイス・シミュレーション [配信開始日: 2019年5月22日]
このウェビナーシリーズのパートIIでは、デバイス・シミュレーション・デッキの新規作成について説明します。ここでは、DeckBuildの使用方法および機能的にシミュレーション・デッキを記述する方法を習得します。本ウェビナーは、チュートリアルに重点を置き、デバイスの作成、実行の方法をデバイス・シミュレータを使用し、メッシュの仕様、材料パラメータとモデルの設定からデバイス特性のシミュレーション、TonyPlotでの結果解析までを含め段階的に説明します。本ウェビナーでは、ユーザがTCADフローをより深く理解し、主要コンセプトを固め、実用的なTCADシミュレーションを実行できる技術を習得できるよう支援します。
英語
TCAD シルバコTCAD: 入門と基礎 - チュートリアル - パートI - シルバコTCADの概要 [配信開始日: 2019年5月8日]
まず、TCADおよびTCADツールの概要を説明します。TCADを定義し、TCADがマイクロエレクトロニクス業界でどのように適用されているか、そしてTCADが向かう未来について説明します。その後、シルバコのTCADフローを紹介し、設計、シミュレーション、解析で使用するTCADコンポーネントを紹介します。
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IC_CAD ExpertとJavaScriptによりカスタム・レイアウト編集を高速化 [配信開始日: 2019年5月7日]
本ウェビナーでは、Expertのカスタマイズに使用するJavaScript APIの基礎について紹介します。
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TCAD DTCO (デザインとテクノロジの同時最適化) をたった一つのコマンド・ファイルでコントロール [配信開始日: 2019年5月7日]
本ウェビナーでは、DTCO (デザインとテクノロジの同時最適化)を一つのコマンド・ファイルと一つのGDSIIレイアウトで可能にするアドバンテージについて説明します。
英語
SPICE_Modeling トランジスタ・レベル・シミュレーションの理解および最適化 [配信開始日: 2019年4月24日]
本ウェビナーでは、並列およびFastSPICE解析モードを含め、SmartSpiceシミュレータの核心部をさらに詳しく説明します。
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IP 次世代のSoCデザイン: 原子からシステムまで [配信開始日: 2019年4月24日]
本ウェビナーでは、フラッシュ・メモリ、その他最新の不揮発性メモリ技術、複雑なSoC (NvidiaのXavierやAppleのA12) などの新技術が、どのようにアーキテクチャ・レベルで設計IPを使用および再利用しているかの例を示します。
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TCAD ナノデバイスにおける原子レベルのシミュレーション [配信開始日: 2019年4月8日]
本ウェビナーでは、シルバコのTCADツール・スイートへと発展したNEMO5の原子レベルのシミュレーション機能について紹介します。
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TCAD TCADベースのGaN HEMTデバイス・モデル抽出フロー - Part2 [配信開始日: 2019年3月27日]
本ウェビナーは、以前ご紹介したGaN HEMTデバイスのモデル・パラメータ抽出メソドロジの続きを説明します。
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IP ナノメータ・プロセスにおけるスタンダード・セル・ライブラリのキャラクタライゼーション:課題とソリューション [配信開始日: 2019年3月22日]
本ウェビナーでは、短期間で高精度なキャラクタライズ結果を得る際の課題と、その課題に対してシルバコのキャラクタライゼーション・ソリューションがどのように解決するかについて説明します。
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TCAD MOSデバイスの信頼性およびNBTIエージングのシミュレーション [配信開始日: 2019年3月1日]
本ウェビナーでは、シルバコのTCADツールで利用可能な優れた信頼性モデルを紹介します。信頼性モデルの基本機能や重要なパラメータについて説明し、正確なキャリブレーションおよび実験結果との比較について考察します。
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TCAD フレキシブル・ディスプレイ向けTCADソリューション [配信開始日: 2019年1月24日]
本ウェビナーでは、デバイス特性に影響を与える主な要因、およびフレキシブル・ディスプレイ・デバイス設計の基本要素を再考察します。ディスプレイ業界に向けたシルバコの最先端TCADソリューション・パッケージを使用して、性能および安定性を向上するために、デバイス・コンポーネントをシミュレーションする手法を説明します。
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IP Octalシリアル・フラッシュ・キャッシュを使用したエッジデバイスでのメモリ性能の向上 [配信開始日: 2018年12月19日]
本ウェビナーでは、代表的なIoTシステム上でマイクロプロセッサ・コードを格納、実行するために利用可能な各種ソリューションについて考察します。性能を損ねることなく消費電力、コスト、複雑さを軽減することは、IoT設計者の役割です。内部RAMを最小限に抑えること、ピン数を削減することが、チップの消費電力を低減するための2つの基本的な方法です。重要な性能指標は、マイクロプロセッサが命令にアクセス、実行できる速度で、この速度はシステム・メモリ・アーキテクチャにかなり依存します。
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TCAD ナノデバイスにおけるバンド構造の影響 - NEMO5の使用事例 [配信開始日: 2018年12月12日]
本ウェビナーでは、現在のIoTシステムで利用可能なシステム・メモリ (NVMおよびRAM) アーキテクチャの選択肢を整理し、それぞれのメリットとデメリットを解析したのち、各種手法の定量的な性能の違いを考察します。
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SPICE_Modeling,TCAD フレキシブル・エレクトロニクス向けSPICEモデリング [配信開始日: 2018年12月10日]
フレキシブル・エレクトロニクスは、曲げられる、巻ける、折りたためるディスプレイや高機能な商品ラベルを可能にし、ウェアラブル、ヘルスケア、メディカル・エレクトロニクスといったさまざまなアプリケーションで素晴らしいポテンシャルを持っています。フレキシブルな薄膜および超薄型チップの新しいプロセス・テクノロジを使用した回路設計では、機械的歪みがデバイス特性に与える影響についても、回路シミュレーションで把握する必要があります。本ウェビナーでは、まず原理を説明し、それから機械的歪みがフレキシブル・エレクトロニクスの回路設計および物理検証に与える影響を考慮するために、TFTおよびMOSFET SPICEモデルを拡張、カスタマイズする実践的テクニックについて説明します。
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IP MIPI I3C [配信開始日: 2018年11月30日]
本ウェビナーでは、MIPI Allianceの新しい規格であるI3Cについて考察します。I3Cは、従来のI2C、SPIインタフェースを統合、拡張するもので、最新のモバイル、自動車、IoTアプリケーションに対応する強力な機能が追加されています。シルバコの多様なI3C製品群により、お客様はI3Cが備える、高性能で低消費電力の機能を活用することができます。
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Variation_Aware_Design VarManによるメモリの統計的キャラクタライゼーション・ソリューション [配信開始日: 2018年9月25日]
近年、妥当な時間で終了する高精度の7シグマ検証が本当に必要になってきました。本ウェビナーでは、シルバコのVarManでこれらの問題を解決する方法を説明します。
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TCAD FPD設計者が生産性を高める方法 [配信開始日: 2018年8月22日]
本ウェビナーでは、FPDレイアウトの設計生産性を高める、シルバコのレイアウト・エディタExpertの新機能についてお話します。
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SPICE_Modeling,TCAD TCADベースのGaN HEMTデバイス・モデル抽出フロー [配信開始日: 2018年7月20日]
本ウェビナーでは、GaN HEMTデバイスのモデル・パラメータ抽出メソドロジをご紹介します。ここでは、GaN HEMTデバイスの現在のSPICEコンパクト・モデルについて説明し、Verilog-Aとシミュレータの組込みモデルについても考察します。
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IC_CAD スタンダード・セル・レイアウトのマイグレーションと最適化 [配信開始日: 2018年7月13日]
本ウェビナーでは、スタンダード・セル・ライブラリのマイグレーションと最適化を効率的に行う方法を説明します。テクノロジ・ノード間のスムーズなマイグレーションのためにファウンデーションIPを再利用することで、エンジニアリング・リソースを節減でき、対象となるテクノロジのレイアウト最適化に必要な最初の情報を入手できます。
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TCAD TCAD入門―デバイス理論の実践 [配信開始日: 2018年6月22日]
本ウェビナーでは、著名なゲスト講演者、アリゾナ州立大学、電気電子情報工学の教授、Hugh Barnaby博士をお招きします。シルバコTCADの概要について学ぶことができ、また半導体デバイス物理の学習の一環として、効率的かつ効果的にTCADを利用する方法、および物理ベース・モデリングを用いて新技術を調査、設計するツールとしてTCADを導入する方法について、Barnaby博士の考えを聴くことができます。
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IC_CAD さまざまな寄生抽出ソリューション、寄生計算の調査と比較 [配信開始日: 2018年6月20日]
本ウェビナーでは、寄生抽出結果のレビュー、寄生ネットリスト上で多数の解析を行う手法、およびツールの概要についてご紹介します。
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IP エンタープライズ・レベルのIP管理を実現 [配信開始日: 2018年6月15日]
本ウェビナーでは、現在の半導体企業が直面する問題と、半導体企業がデザイン・データだけでなく技術とは関係ない大量のメタデータ、そして社内および社外IPをエンタープライズ・レベルで体系化するのに役立つシルバコのテクノロジについて考察します。
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TCAD フレキシブル・ディスプレイの作成に適した材料を見つけたい?TCADがお手伝いします [配信開始日: 2018年5月18日]
本ウェビナーでは、ストレス・シミュレーションに使用される数値的手法を説明し、シンプルな構造の解析モデルと比較、そして変形のため誘起される応力に対するシルバコの非線形有限要素法によるアプローチを紹介します。
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IP サブシステム・インサイト [配信開始日: 2018年4月13日]
本ウェビナーでは、シルバコのドライバ、HAL(Hardware Abstraction Layer)、ローレベル・ソフトウェアを使用するAMBA Subsystemsへのサポートについて紹介します。
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IC_CAD,TCAD リアルな3次元TCAD構造を使用した高精度寄生RC抽出 [配信開始日: 2018年3月30日]
寄生RCを正確に見極めることは、最新の半導体技術を設計、統合する上で重要な要素となります。ルール・ベースの寄生抽出を使用する従来のフローでは、精度の要求を満たせない場合や、適切なLPEルール・デッキが準備できない場合があります。
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Variation_Aware_Design VarManを使用したスタンダード・セルの統計的キャラクタライゼーション [配信開始日: 2018年3月1日]
半導体の新しいプロセス・ノードにおけるプロセスばらつきは、グローバル、ローカルを問わず、スタンダード・セル・ライブラリのパフォーマンスを左右する重要な要素になっています。電源と温度変動を組み合わせた場合、従来手法での3シグマ・プロセス・コーナーの検出、または6シグマ検証の実行は、膨大な数のシミュレーションを必要とするため、非現実的になって来ています。
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IP SPI vs SPI [配信開始日: 2018年2月9日]
本ウェビナーではシルバコのSPI、QSPI(Quad SPI)、およびOSPI(Octal SPI) IP製品について、現在のSOC設計における有用性を考察します。
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IC_CAD iPDKとGatewayスケマティック・キャプチャのインテグレーション [配信開始日: 2017年12月8日]
本ウェビナーではGatewayツール・フローとiPDKデザイン・キットの統合について考察します。iPDKは、お客様にプロセス・デザイン・キットを公開するにあたり、急速にファウンドリに推奨されるようになってきた手法です。EDAベンダのスケマティック・キャプチャおよびレイアウトにおいて、iPDKへの対応はメジャーな機能になってきています。本ウェビナーではiPDKをGatewayに統合する方法について、現在のiPDKに潜む落とし穴やギャップも含めて紹介いたします。
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TCAD イオン輸送および電気化学のTCADシミュレーション [配信開始日: 2017年10月27日]
本ウェビナーでは半導体デバイスのイオン輸送および電気化学のシミュレーションについて考察します。これらの現象は、不揮発性メモリや固体電池の設計のように意図的である場合、そして多くの劣化メカニズムに見られる意図的でない場合の双方が対象となります。
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IP 新しいMIPI Alliance I3CSMの規格を学ぶ [配信開始日: 2017年9月13日]
現在のモバイル機器にはさまざまな種類のセンサが含まれており、これらは可能な限り低い消費電力で、できるだけ速く情報を交換する必要があります。MIPI Allianceは、この実現に向けてセンサ接続周辺のインタフェースの新しい規格を作成するため、業界のリーダ達を招集したのです。
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TCAD TFT、FPDの設計を加速 [配信開始日: 2017年5月17日]
本ウェビナーでは、TFT、LCD、OLEDディスプレイの設計者に 本ウェビナーでは、シルバコのEDAツールを活用したTFTおよびFPD設計のさまざまな技術の概要について説明します。
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TCAD TFT、LCD、OLEDディスプレイ設計のためのTCAD活用手法 [配信開始日: 2017年5月8日]
本ウェビナーでは、TFT、LCD、OLEDディスプレイの設計者にとって有益となる様々なTCADベースのシミュレーション技術を紹介します。最初に、TCADを使用したLED/OLEDダイオードの電気特性の解析および光学特性の解析について説明します。
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IC_CAD 信頼性解析は設計サイクルの初期に先手を打つ [配信開始日: 2017年4月21日]
多額の費用を伴う設計の手戻りを避けるには、パワー・インテグリティの問題を設計サイクルのできるだけ早い段階に解決する必要があります。レイアウト・エンジニアは、シルバコのInVar Primeを使用することで、物理設計が完了する前にEM/IRおよび熱条件を見積もることが可能です。
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IC_CAD 寄生素子抽出解析の秘訣が明らかに! [配信開始日: 2017年3月24日]
物理設計のサインオフにとって、寄生素子抽出は必須の工程です。また、先端ノードにおいて、寄生素子は回路設計の動作に多大な影響を与えます。解析者が有意義かつ現実的な結果を出すためには、配線の寄生素子の影響を考慮しなければなりません。本ウェビナーでは、同一のデザインにおける2つの抽出データの特性を質的および量的に比較するフローを確認します。
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TCAD 有機半導体光デバイスのためのTCADシミュレーション [配信開始日: 2017年1月27日]
本ウェビナーは、LEDや有機ELなどの発光デバイスの特性解析用統合環境であるRadiantを紹介します。有機半導体デバイスとして、変換効率や色純度が高く、色調整もしやすいなどの特徴から、ディスプレイや照明などの分野で注目されている有機ELを取り上げ、特に白色有機ELの開発に必要な有機多層膜の電気特性の解析および発光特性の解析について紹介します。
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TCAD 2次元Victory Process – ロバストな3次元ソリューションを保証するSUPERMベース・シミュレータの革新的代替 [配信開始日: 2016年12月9日]
スタンフォード大学によるSUPREM-IVベースの2次元プロセス・シミュレータは、30年以上にわたり半導体研究業界で使用されてきました。半導体テクノロジの著しい進化により、新世代のTCADツールへの移行の必要に迫られています。Victory Processシミュレータは、1次元/2次元/3次元プロセス・シミュレーションに対するソリューションと、新しい材料やプロセスをプロセス・フローにシームレスに導入することができることから、現在のものだけでなく、将来的な業界の条件をほとんど満たしています。
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Variation_Aware_Design Variation Managerを使用したアナログ・デザインの統計解析フロー [配信開始日: 2016年11月14日]
先端ノードテクノロジにおいてアナログ・デザインのばらつきの影響は重大なものとなりました。統計解析に使用される従来のモンテカルロ手法は限界に達し、パフォーマンス面においてアナログ設計者の要望に応えることができなくなりました。
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TCAD 有機半導体光デバイスのためのTCADシミュレーション [配信開始日: 2016年9月28日]
本ウェビナーは、LEDや有機EL などの発光デバイスの特性解析用統合環境であるRadiantを紹介します。有機半導体デバイスとして、変換効率や色純度が高く、色調整もしやすいなどの特徴から、ディスプレイや照明などの分野で注目されている有機ELを取り上げ、特に白色有機ELの開発に必要な有機多層膜の電気特性の解析および発光特性の解析について紹介します。
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IC_CAD レイアウト・エンジニアのための電源供給ネットワーク解析 [配信開始日: 2016年7月27日]
このウェビナーでは、シルバコの新しい信頼性解析ツールであるInVar Primeの概要を説明します。InVar Primeは、InVarパワー・インテグリティ・サインオフ・ツールのラインナップに追加された製品です。
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TCAD TCADユーザビリティ:DeckBuildとVirtual Wafer Fab® (VWF) [配信開始日: 2016年7月1日]
このウェビナーでは、TCADシミュレーションを行なうためのフロントエンドGUIツールであるDeckBuildとVirtual Wafer Fab®(VWF)の説明とデモを行ないます。既存のシミュレーション・デックをブラウズして選択し、編集後にシミュレーション実行する方法を紹介します。
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TCAD TCAD Simulation of Wide Bandgap Power Devices [配信開始日: 2016年6月24日]
Simulation of wide bandgap power devices has always posed convergence challenges. In addition to this, the emphasis is shifting to accuracy and calibration of models in relation to manufacturing data.
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TCAD ワイドバンドギャップ・パワー半導体デバイスのためのTCADシミュレーション [配信開始日: 2016年5月25日]
ワイドバンドギャップ・パワー半導体シミュレーションに関して、最近の関心は収束問題から精度、キャリブレーション、モデルなど、実測との比較を通したより実用的な問題にシフトしています。本ウェビナーでは、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、酸化ガリウムに焦点をあて、そのシミュレーションについて解説します。
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TCAD 3Dメモリにおける物理エッチングのシミュレーション [配信開始日: 2016年5月1日]
このウェビナーでは、特に3Dメモリに焦点を当てて、物理エッチングのシミュレーション方法、メカニズム、モデルについての深い理解を提供します。
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TCAD シリコン・パワー・デバイスの効率的な3次元TCADシミュレーション [配信開始日: 2016年4月15日]
TCADシミュレーションにより、プロセスエンジニアやデバイスエンジニアは試作を行う前にデバイス特性を解析することが可能となり、時間とコストを大きく削減できることはよく知られています。今日、多くのデバイスは3次元構造を有するため、3次元のプロセス/デバイス・シミュレータで解析することが効果的です。またパワー・デバイスではメインセルや終端構造など、さらに大きなデバイス構造にも強い関心が集まっています。
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IC_CAD,Variation_Aware_Design 先端プロセスと低電力テクノロジーのためのばらつき考慮設計 [配信開始日: 2016年4月1日]
シルバコのVariation Managerは革新的なモンテカルロ技術により、アナログセルやAMS/RF ICを高速に検証できます。メモリビットセルや論理標準セルのように多くの繰り返し要素を持つ設計に対してもロバストな高シグマ解析を可能とします。Variation Managerの革新的なサンプリング技術により、設計者はばらつきの問題をより速く、かつ低コストに解決できます。
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IC_CAD OpenAccessで容易にシルバコのカスタム設計フローへ移行 [配信開始日: 2016年3月18日]
このウェビナーでは、設計者がOpenAccess環境でどのようにシルバコのスケマティック・エディタ「Gateway」とレイアウト・エディタ「Expert」を利用するかについて説明します。
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SPICE_Modeling TCADとSPICEを駆使した太陽電池モデリング [配信開始日: 2015年12月17日]
このウェビナーでは、太陽電池とソーラーパネルのTCADからSPICEに至るシミュレーション・フローを概観し、またその関連の手法について紹介します。
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IC_CAD 3DシステムとICのためのパーティショニングおよびDRC [配信開始日: 2015年10月26日]
ICとシステムの3Dインテグレーションは、「More than Moore」テクノロジーとアプリケーションのコストスケーリングを向上しますが、異種システムとICの3Dインテグレーションは今後の設計に大きな課題を投げかけます。シルバコは、異種3D IC設計の自動3D空間パーティショニングおよび3D設計ルールチェック(3D DRC)のための2つのプロトタイプ設計ソフトウェアを発表しました。
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IC_CAD パワー・インテグリティおよび信頼性解析 [配信開始日: 2015年9月30日]
このウェビナーは、パワー・インテグリティおよび信頼性解析ツールであるInVarの概要を紹介します。電力、電圧、温度を同時にモデリングするInVarのコンカレント・アプローチは、信頼性解析を実世界レベルの精度で行ないます。このウェビナーでは、高速な設計解析からサインオフまで、ゲートレベルおよびトランジスタ・レベルの電力、EM、IR、および熱解析を取り上げます。必要な入力データの簡単な紹介および短いデモも実施します。
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SPICE_Modeling HiSIM_HV 2による 高耐圧パワーデバイスのモデリング [配信開始日: 2015年8月27日]
このウェビナーでは、高耐圧デバイス用SPICEモデルの業界標準であるHiSIM_HV 2のモデル・パラメータ抽出を取り上げます。また、最新のHiSIM_HV 2.2.0に組み込まれたデプレッション・モードにも簡単に触れます。このウェビナーを通じてHiSIM_HV 2モデルの特徴、モデル・パラメータ抽出手順を理解し、HiSIM_HV 2による高耐圧デバイス・モデリングを円滑に進めることを目指します。
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SPICE_Modeling HiSIM_HV 2による 高耐圧パワーデバイスのモデリング [配信開始日: 2015年4月30日]
このウェビナーでは、高耐圧デバイス用SPICEモデルの業界標準であるHiSIM_HV 2のモデル・パラメータ抽出を取り上げます。また、最新のHiSIM_HV 2.2.0に組み込まれたデプレッション・モードにも簡単に触れます。このウェビナーを通じてHiSIM_HV 2モデルの特徴、モデル・パラメータ抽出手順を理解し、HiSIM_HV 2による高耐圧デバイス・モデリングを円滑に進めることを目指します。
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SPICE_Modeling,TCAD 総線量、放射線流による損傷、即発線量およびSEUのTCADシミュレーション [配信開始日: 2015年2月18日]
このウェビナーでは、宇宙空間または高エネルギー粒子や光子源付近など、一般的な4つの放射線環境下でエレクトロニクス・デバイスを使用した場合に発生する動作特性の変化について、酸化膜電荷や物理的損傷などを含む具体的なシミュレーション方法を取り上げます。
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TCAD a-Si TFTにおけるリーク電流のTCADキャリブレーション [配信開始日: 2014年11月19日]
このウェビナーでは、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(a-Si TFT)において、TCADシミュレーションを測定データと比較する場合に用いるキャリブレーションの手順を詳細に取り上げます。TCADのキャリブレーション手順についてリーク電流に焦点を当て説明するため、a-Si TFTテクノロジの設計と最適化に役立ちます。
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TCAD SiCおよびSiパワー・デバイスのTCADからSPICEに至るシミュレーション [配信開始日: 2014年9月24日]
このウェビナーでは、パワー・デバイスの設計、シミュレーションおよび性能最適化をTCADとSPICEシミュレーションにより行う手法について取り上げます。高耐圧パワーエレクトロニクス用半導体として、長い間シリコンが採用されてきました。しかし、SiCのようなワイドバンドギャップ半導体が、シリコンを上回る性能から注目を集めています。SiCデバイスのシミュレーションは、シリコン・デバイスと比較してより難しいとされています。
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TCAD シングルイベント効果のモデリングと解析 [配信開始日: 2014年7月16日]
このウェビナーでは、放射線効果を専門とするエンジニアがシングルイベント効果(SEE)とそれらがデバイスや回路に及ぼす影響のモデリングを行う場合に使用する手法を取り上げます。デバイス技術の著しい進歩により、放射線効果の忠実なモデリングがとりわけ困難となり、またデバイス・サイズの小型化によりSEEやその他の放射線効果のモデリングの重要性が増しています。
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