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シリコン・デバイスの極低温シミュレーション

配信開始日:

本ウェビナーでは、ドリフト拡散法を使用して4ケルビンから100ケルビンの温度でシリコン・デバイス動作をシミュレーションする場合に発生する問題について考察します。固体素子量子コンピューティングを大きく発展させるには、宇宙科学およびエクサスケール・コンピューティングにおける極低温エレクトロニクスの応用だけでなく、cryo-CMOSデバイスが必要になります。極低温でのTCADモデリングは、デバイス設計の改善に貢献することが期待されています。100ケルビン以下の温度範囲では、数値解析の面と物理モデル選択面の両方で、デバイス動作のTCADシミュレーションに大きな課題があります。本ウェビナーではこれらの問題について詳細に説明するとともに、シルバコのデバイス・シミュレータでこれらの課題をどのように克服してきたのかについても説明します。

内容:

    • 極低温TCADシミュレーションの主な問題
    • これらの課題を克服する方法
    • MOSFETの低温TCADシミュレーション
      • 極低温シミュレーションのデッキ設定方法
      • 不完全イオン化を含める方法
      • 自己発熱効果を考慮に入れる方法
    • シリコン・アバランシェ・フォトダイオードのTCADシミュレーション
      • 極低温シミュレーションのデッキ設定方法
      • 衝突電離モデルの選択方法

プレゼンタ:

Dr. Stephen Wilsonは、シルバコTCAD DivisionのSenior TCAD Development Engineerです。シルバコに16年間勤務しており、シルバコのデバイス・シミュレータであるATLASおよびVictory Deviceの品質向上に熱心に取り組んでいます。Dr. Wilsonは、イングランドのヨーク大学で電子工学の博士号を取得しており、シルバコに入社する以前は、半導体の衝突電離プロセスの研究に従事していました。また、地中探知レーダの開発にも取り組んできました。


対象:

極低温で動作するシリコン・デバイスを開発するソリューションを求めている研究者、エンジニア、マネージャ