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3Dメモリにおける物理エッチングのシミュレーション

配信開始日: 2016年5月1日 このウェビナーでは、特に3Dメモリに焦点を当てて、物理エッチングのシミュレーション方法、メカニズム、モデルについての深い理解を提供します。非常に高いアスペクト比の狭トレンチ・エッチングについて検討しますが、これは縦型構造不揮発性メモリへの適用において、重要なチャンレンジとなります。物理エッチング機能を備えたシルバコの3次元プロセス・シミュレータ「Victory Process」のアーキテクチャとモデリング環境について詳しく解説します。また、新たなモデリング機能を追加するVictory Processのオープン・モデリング・ライブラリの柔軟性についてご覧いただき、要求されるシミュレーションの物理精度とシミュレーション時間のトレードオフを最適化します。さらに、高アスペクト比エッチングのシミュレーションを可能にするイオン増速化学エッチング・モデルの基本的特性を説明し、その用途を紹介します。


セミナー概要:

  • 物理エッチング・シミュレーション、特に高アスペクト比トレンチ・エッチングを実施するときの主な問題点
  • Victory Processのアーキテクチャ
  • エッチングとデポジションのオープン・モデル・ライブラリの概念
  • Victory Processのオープン・モデル・ライブラリへのカスタムモデルの組込み
  • 高アスペクト比の狭トレンチ・エッチングに利用する、イオン増速化学エッチング・モデルの特性と動作
  • 適用事例
    • 3次元NANDにおける高アスペクト比エッチング
    • STT-MRAMにおける磁気トンネル接合ピラーの最適化

プレゼンター:

アンドレアス・ホッシンガー博士は、シルバコTCAD部門の製品マネージャーです。モデル開発、数値計算アルゴリズム研究によるプロセス・シミュレータの開発、ならびに新しいアプリケーション開発を担当しています。シルバコ入社以前、同氏はウィーン工科大学のシニア研究員であり、そこで3次元プロセス・シミュレーションのモデル、アルゴリズム、手法を開発しました。

アンドレアス・ホッシンガー博士は、ウィーン工科大学において物理学で修士号、電気工学で博士号を取得しています。