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ワイドバンドギャップ・パワー半導体デバイスのためのTCADシミュレーション

配信開始日: 2016年5月25日 ワイドバンドギャップ・パワー半導体シミュレーションに関して、最近の関心は収束問題から精度、キャリブレーション、モデルなど、実測との比較を通したより実用的な問題にシフトしています。本ウェビナーでは、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、酸化ガリウムに焦点をあて、そのシミュレーションについて解説します。まず最初に、4H-SiCのIEMOSFETのシミュレーション例を紹介します。特にSiO2/SiC界面における欠陥準位設定と、界面電荷によるリモート散乱効果を取り入れた移動度モデルを用いることで、実測とよく一致することを示します。2つ目は、窒化ガリウムの例として、Super HFET(Hetero-junction Field Effect Transistor)シミュレーションのためのバルクや界面での欠陥設定方法を示し、そのシミュレーション例を報告します。次に、より広いバンドギャップをもつ酸化ガリウムMOSFETのシミュレーションが実測とよく一致すること示します。最後に、応力シミュレーション例や今後のプロセスシミュレーションについて紹介します。


セミナー概要:

  • 4H-SiC IEMOSFETシミュレーション
    • 界面欠陥準位Ditの設定とその効果
    • 界面電荷からのリモート散乱効果を含む移動度モデル
  • GaN Super HFETシミュレーション
    • ダブルヘテロ界面GaN/AlGaN/GaNでの分極電荷2DHG、2DEG計算
    • GaNバッファー層中の欠陥設定
    • 耐圧計算
  • Ga2O3MOSFETシミュレーション 
    • 電子親和力、バンドギャップ(4.8eV)、有効状態密度(電子、ホール)設定
    • 収束問題への対処方法
  • ワイドバンドギャップ半導体の応力シミュレーション
  • ワイドバンドギャップ半導体向けプロセスシミュレーション技術展望

プレゼンター:

藤永 正人はシルバコ・ジャパンのTCADマネージャであり、TCADの技術サポート責任者です。 1985年に三菱電機株式会社に入社し、LSI研究所/ULSI開発研究所にて、TCADプロセス/デバイスシミュレータの研究開発に従事。1996年に3次元プロセスシミュレータの研究で工学博士を取得。DRAMなどのメモリデバイス開発、ロジックトランジスタ開発などへのTCAD適用業務に従事し、同時に株式会社半導体先端テクノロジーズにて3次元プロセスシミュレータの開発に参画した。その後、株式会社ルネサステクノロジ、株式会社TCADインターナショナルを経て、2010年3月に株式会社シルバコ・ジャパンに入社、現在に至る。大阪大学理学部物理学科にて学位、修士号を取得。大阪大学工学部にて工学博士を取得。