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Victory Atomisticによる革新的ナノデバイスのTCADシミュレーション

配信開始日:

本ウェビナーでは、シルバコのTCADツール・スイート群の一つであるVictory Atomistic (VA) のシミュレーション機能を紹介します。Victory Atomisticは、パデュー大学で開発されたNEMO5ソフトウェアをベースとする多目的ナノデバイス・シミュレーション・ツールであり、共同作業により延べ100年以上の開発工数がかけられています。Victory Atomisticは、半導体およびメタル・ナノデバイスにおいて電子およびフォノンのバンド構造、量子輸送特性の予測を原子レベルの分解能で行うことにフォーカスしています。ナノワイヤFETデバイスおよびオプトエレクトロニクスにおける実世界の物理現象の解析全般に対応します。

内容:

  • NEMO5およびシルバコ環境
    • デバイス構造
    • バンド構造
    • ソルバ
  • 原子レベルTCADシミュレーションの主な課題
    • 量子効果およびデバイス
    • 非平衡グリーン関数
    • 最適化
  • 解析事例
    • NW-FET (ナノワイヤFET)、T-FET (トンネルFET)
    • オプトエレクトロニクス
    • 散乱効果

プレゼンタ:

Philippe Blaise博士は、シルバコ本社TCAD Divisionの原子レベル・シミュレーションのSenior Application Engineerです。Blaise博士は、シルバコ入社以前は15年間CEA/LETIのSenior Engineerとして、新規メモリ・デバイスおよびトランジスタの原子レベル・シミュレーションを専門としていました。

Blaise博士は、フランスにあるENSIMAG Engineering Schoolで応用数学の修士号を、フランスにあるグルノーブル・アルプ大学で固体物理学の博士号を取得しています。


対象:

量子効果を持つ革新的デバイスの原子レベル・シミュレーションにおけるソリューションを模索している研究者、エンジニア、マネージャ