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SiCおよびSiパワー･デバイスのTCADからSPICEに至るシミュレーション

配信開始日: 2014年9月24日
このウェビナーでは、パワー・デバイスの設計、シミュレーションおよび性能最適化をTCADとSPICEシミュレーションにより行う手法について取り上げます。
高耐圧パワーエレクトロニクス用半導体として、長い間シリコンが採用されてきました。しかし、SiCのようなワイドバンドギャップ半導体が、シリコンを上回る性能から注目を集めています。SiCデバイスのシミュレーションは、シリコン・デバイスと比較してより難しいとされています。このウェビナーでは、SiCパワー・デバイスのシミュレーションを高い精度で行うための要件について確認します。また、完全に自動化されたTCADからSPICEまでのフローにより、シリコンIGBTパワー・デバイスの開発に要するコストと時間を低減する方法をご紹介します。

概要:

• パワー・デバイスのTCADシミュレーションの主な課題
• SiCのTCADシミュレーションの主な課題
• SiC IGBT、トレンチMOSおよびDMOSのTCADシミュレーション
  • 2次元および3次元TCADシミュレーション
    （メッシュ、ソルバ、物理モデル）
  • 3次元TCADシミュレーションの活用ポイント
• TCADからSPICEへのIGBT統合開発フロー
  • プロセス/デバイス・シミュレーションによるIV曲線生成
  • HiSIM-IGBTコンパクト・モデルのSPICEパラメータ抽出
  • 回路性能とプロセス・バラツキの関連性
  • 回路性能の最適化